SSD накопитель Samsung 990 Evo Plus 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9S4T0BW]

Код товара: 142484
SSD накопитель Samsung 990 Evo Plus 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9S4T0BW]
Samsung
51 984 р.
Базовая цена
59 072 р.
В наличии на складе
Гарантия 1 год от Samsung
в корзину купить в один клик
Способы оплаты:
Наличными Картой В кредит
Способы получения товара:
SSD накопитель Samsung 990 Evo Plus 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9S4T0BW]
Код товара: 142484
51 984 р.

О товаре
Код товара:142484
Бренд:Samsung
Категория:Твердотельные накопители SSD
Наличие на складе:товар в наличии
Страна производства:Китай
Гарантия Samsung: 1 год
Код производителя:MZ-V9S4T0BW
Показать все характеристики
SSD накопитель Samsung 990 Evo Plus 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9S4T0BW]. Характеристики, фото, отзывы покупателей. Официальная гарантия Samsung. Доставка по Москве — FormulaTV.

SSD накопитель Samsung 990 Evo Plus 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9S4T0BW]

Представляем вам твердотельный накопитель (SSD) Samsung M.2 2280 4TB 990 EVO PLUS — надёжное и производительное решение для хранения данных. Этот накопитель обеспечивает высокую скорость чтения и записи, что позволяет ускорить загрузку операционной системы, приложений и файлов. 

Этот SSD-накопитель идеально подходит для использования в компьютерах и ноутбуках, обеспечивая быструю работу и надёжность хранения данных. Благодаря своей компактности и высокой производительности, он станет отличным выбором для тех, кто ищет эффективное решение для своего устройства. 

Характеристики SSD накопитель Samsung 990 Evo Plus 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9S4T0BW]

О товаре
Код товара:142484
Бренд:Samsung
Категория:Твердотельные накопители SSD
Наличие на складе:товар в наличии
Страна производства:Китай
Гарантия Samsung: 1 год
Код производителя:MZ-V9S4T0BW
Основные характеристики
Количество бит на ячейку3 бит TLC
Поддержка TRIMесть
Поддержка NVMeесть
Ключ M.2 разъемаM
Тип жесткого дискавнутренний твердотельный накопитель
Структура памяти NAND3D NAND
РазъемM.2
ИнтерфейсPCIe 4.0 x4
Форм-факторM.2 2280
Объем накопителя4 ТБ
Показатели производительности
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)1050 kIOPS
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)1400 kIOPS
Максимальная скорость записи6300 МБ/с
Максимальная скорость чтения7250 МБ/с
Ресурс
Ресурс TBW2400 ТБ
Время наработки на отказ1500000 ч
Ударостойкость при хранении1500 G
Ударостойкость при работе1500 G
DWPD0.33
Габариты
Длина80.15 мм
Ширина22.15 мм
Толщина2.38 мм
Вес9 г
Дополнительная информация
Энергопотребление5.5 Вт
ОсобенностиSamsung V-NAND TLC

Отзывы о товаре

Отзывов пока еще нет. Ваш отзыв может стать первым!

Написать отзыв