Оперативная память Samsung M425R2GA3BB0-CWM, DDR5 1х 16ГБ 5600 МГц, SODIMM, OEM


| О товаре | |
|---|---|
| Код товара: | 141325 |
| Бренд: | Samsung |
| Категория: | Оперативная память |
| Наличие на складе: | товар в наличии |
| Страна производства: | Китай |
| Гарантия Samsung: | 1 год |
| Код производителя: | M425R2GA3BB0-CWM |
Samsung M425R2GA3BB0-CWM — модуль оперативной памяти DDR5 форм-фактора SODIMM объёмом 16 ГБ с тактовой частотой 5600 МГц (PC5-44800), предназначенный для ноутбуков и компактных систем с поддержкой DDR5.
- Тип памяти: DDR5 SODIMM
- Объём: 16 ГБ (1 модуль)
- Частота: 5600 МГц, пропускная способность 44 800 МБ/с
- Для кого: апгрейд ноутбука или NUC на платформах Intel Core 12–14-го поколения и AMD Ryzen 7000
Коротко — для кого этот модуль памяти
Samsung M425R2GA3BB0-CWM подходит для замены или расширения оперативной памяти в ноутбуках с DDR5-слотами SODIMM. Это OEM-поставка от производителя без розничной упаковки: модуль поступает точно так же, как устанавливается на заводе в готовые системы — без излишеств, но с полной функциональностью.
Главные плюсы и ограничения Samsung M425R2GA3BB0-CWM
Модуль оптимален для целенаправленного апгрейда ноутбука с поддержкой DDR5 — без переплаты за розничную упаковку или RGB-подсветку.
- ✓ Высокая тактовая частота 5600 МГц — максимум спецификации DDR5 JEDEC для SODIMM текущего поколения
- ✓ Пропускная способность 44 800 МБ/с — ощутимый прирост относительно DDR4-3200 (25 600 МБ/с)
- ✓ Пониженное напряжение 1,1 В — меньше тепловыделение, выше энергоэффективность в ноутбуке
- ✓ Samsung — производитель чипов памяти «первого эшелона», низкий процент брака
- ✗ OEM-поставка: гарантия Samsung 1 год, без розничной документации
- ✗ Один модуль 16 ГБ — для двухканального режима потребуется второй идентичный модуль (или совместимая пара)
- ✗ Работает только в ноутбуках и компактных ПК с SODIMM-слотами DDR5: настольные ПК требуют DIMM-формат
DDR5 SODIMM — что даёт переход с DDR4 в реальных задачах
Пропускная способность Samsung M425R2GA3BB0-CWM против DDR4
Samsung M425R2GA3BB0-CWM обеспечивает пропускную способность 44 800 МБ/с — это на 75% выше, чем у массового DDR4-3200 (25 600 МБ/с). Разница проявляется прежде всего в задачах с большими потоками данных: видеомонтаж, работа с RAW-фотографиями, виртуальные машины, крупные таблицы. В повседневных офисных сценариях — браузер, почта, документы — разница между DDR4 и DDR5 субъективно менее заметна. Тайминги CL40-46-46 типичны для DDR5-5600 и не являются слабым местом модуля.
Напряжение 1,1 В и температурный режим в ноутбуке
Samsung M425R2GA3BB0-CWM работает при напряжении питания 1,1 В — на 20% ниже, чем у DDR4 (1,2 В в стандарте). Для ноутбука это означает меньше тепловыделения от модулей памяти и чуть более длительную работу от аккумулятора при интенсивной нагрузке. По наблюдениям специалистов FormulaTV в условиях шоурума, DDR5-модули Samsung серии M425R в штатном режиме остаются заметно холоднее аналогичных DDR4-планок под нагрузкой.
Совместимость Samsung M425R2GA3BB0-CWM с платформами Intel и AMD
Samsung M425R2GA3BB0-CWM совместим с ноутбуками на базе процессоров Intel Core 12-го и более новых поколений (Alder Lake, Raptor Lake, Meteor Lake) и AMD Ryzen серии 7000 с поддержкой DDR5. Перед установкой необходимо убедиться, что материнская плата ноутбука имеет SODIMM-слот стандарта DDR5 — DDR4 и DDR5 физически несовместимы (разное количество контактов: у DDR5 SODIMM их 262 против 260 у DDR4). По информации производителя, модуль поддерживает стандарт PC5-44800 и совместим со всеми платформами, официально поддерживающими DDR5 SODIMM 5600 МГц.
Совет от Редакции FormulaTV: «Перед покупкой уточните в сервисном центре или на сайте производителя ноутбука максимально поддерживаемую частоту DDR5 SODIMM. Часть платформ ограничивает частоту до 4800 МГц — модуль 5600 МГц запустится, но снизится до поддерживаемого порога. Это не брак, а штатное поведение согласно спецификации Intel/AMD XMP/JEDEC».
Конструкция и форм-фактор — что важно при установке
Физические параметры модуля Samsung M425R2GA3BB0-CWM
Samsung M425R2GA3BB0-CWM выполнен в стандартном форм-факторе SODIMM: ширина 69,6 мм, высота 30 мм. Эти размеры соответствуют индустриальному стандарту SODIMM и совместимы со всеми ноутбуками, поддерживающими DDR5. Модуль не имеет декоративного радиатора — это норма для OEM-поставки и выгодно в ноутбуке, где пространство ограничено. В комплект входит только сам модуль памяти (1 шт.).
OEM-статус и гарантия Samsung M425R2GA3BB0-CWM
Тип поставки OEM означает, что Samsung M425R2GA3BB0-CWM поставляется без розничной коробки и документации — именно в таком виде производитель отгружает память системным сборщикам. Функционально и качественно OEM-модуль не отличается от розничного аналога того же SKU. Гарантия Samsung на данный модуль составляет 1 год. Страна производства — Китай (сборка на заводах Samsung).
С чем сравнить в России — DDR5 SODIMM 16 ГБ 5600 МГц
На российском рынке DDR5 SODIMM 16 ГБ 5600 МГц представлена несколькими производителями. Ниже — ключевые конкуренты в том же сегменте частоты и объёма.
| Модуль | Объём | Частота | Тайминги (CL) | Напряжение | Тип поставки | Кому подойдёт |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Samsung M425R2GA3BB0-CWM | 16 ГБ | 5600 МГц | CL40 | 1,1 В | OEM | Апгрейд ноутбука, бюджетная замена |
| Kingston KVR56S46BS8-16 | 16 ГБ | 5600 МГц | CL46 | 1,1 В | Розница | Розничный апгрейд с документацией |
| Crucial CT16G56C46S5 | 16 ГБ | 5600 МГц | CL46 | 1,1 В | Розница | Универсальный апгрейд, широкая совместимость |
| Patriot Signature PSD516G560081S | 16 ГБ | 5600 МГц | CL46 | 1,1 В | Розница | Бюджетная розничная альтернатива |
По информации производителя, Samsung M425R2GA3BB0-CWM выделяется более низким задержкой CL40 против CL46 у большинства конкурентов в том же ценовом диапазоне — это преимущество в задачах, чувствительных к латентности памяти.
Как мы к этому пришли — эволюция DDR5 SODIMM
Стандарт DDR5 для ноутбуков появился массово с выходом платформ Intel Alder Lake (12-е поколение, 2021) и AMD Ryzen 7000 (2022). Первые коммерческие DDR5 SODIMM стартовали с частоты 4800 МГц — сегодня 5600 МГц стал де-факто стандартом начального уровня DDR5, а верхняя граница массовых модулей достигла 6400 МГц. Samsung M425R2GA3BB0-CWM — представитель зрелого поколения DDR5: частота 5600 МГц при CL40 отражает оптимизацию производственного процесса, недостижимую в ранних партиях 2021–2022 годов. Снижение стоимости DDR5 в 2024–2025 годах сделало апгрейд экономически обоснованным даже для пользователей, не планировавших смену платформы.
Инженерный компромисс
Главный trade-off DDR5 SODIMM — задержки против пропускной способности. При переходе с DDR4-3200 CL22 на DDR5-5600 CL40 абсолютное значение CAS Latency в тактах увеличивается почти вдвое. Однако из-за более высокой тактовой частоты реальная задержка в наносекундах остаётся сопоставимой: DDR4-3200 CL22 даёт ~13,75 нс, а DDR5-5600 CL40 — ~14,3 нс. Выигрыш DDR5 проявляется прежде всего в пропускной способности, а не в латентности. Для геймеров на ноутбуке это означает, что отклик системы не деградирует, а потоковые задачи выполняются заметно быстрее.
Совет от Редакции FormulaTV: «Если ноутбук имеет два слота SODIMM и сейчас работает в одноканальном режиме с одним модулем DDR5, установка второго идентичного модуля Samsung M425R2GA3BB0-CWM переведёт систему в двухканальный режим. Это даёт удвоение эффективной пропускной способности без изменения тактовой частоты — прирост производительности в ресурсоёмких задачах ощутимее, чем сам переход с DDR4».
Взгляд с другой стороны
Контраргумент. OEM-поставка без розничной упаковки вызывает закономерные вопросы: откуда уверенность в подлинности, нет ли риска получить «серый» или восстановленный модуль?
Когда валиден. Скептицизм обоснован при покупке у непроверенных посредников. В канале официального дистрибьютора OEM-поставка — стандартная практика Samsung для B2B и сервисного рынка.
Ответ. Код производителя M425R2GA3BB0-CWM однозначно идентифицирует модуль в базе Samsung; подлинность проверяется через сервисную базу производителя. Для покупателя, приоритизирующего розничную упаковку и гарантийный талон, рациональнее выбрать Kingston или Crucial в ретейл-исполнении — разница в характеристиках минимальна.
Ошибки и их цена
1) Установка DDR5 SODIMM в слот DDR4 — разъёмы физически несовместимы (262 vs 260 контактов), принудительная установка ведёт к повреждению слота материнской платы. Стоимость ремонта может превысить цену ноутбука.
2) Покупка одного модуля в расчёте на двухканальный режим — один модуль всегда работает в одноканальном режиме. Для двухканала нужны два идентичных или совместимых модуля DDR5 SODIMM в оба слота.
3) Игнорирование ограничения платформы по частоте — часть ноутбуков Intel и AMD официально поддерживает DDR5 только до 4800 МГц. Модуль 5600 МГц запустится на 4800 МГц, что является нормой, но важно учитывать это при сравнении с конкурентами той же частоты.
Часто задаваемые вопросы
Samsung M425R2GA3BB0-CWM подходит только для ноутбуков с DDR5 SODIMM-слотами — это платформы Intel Core 12-го поколения и новее, а также AMD Ryzen 7000. Если у ноутбука слот DDR4, этот модуль физически несовместим: у DDR5 SODIMM 262 контакта против 260 у DDR4. Проверьте спецификацию своего ноутбука на сайте производителя в разделе «Память» перед заказом.
Samsung M425R2GA3BB0-CWM обеспечивает пропускную способность 44 800 МБ/с — на 75% выше, чем у DDR4-3200 (25 600 МБ/с). Прирост заметен в видеомонтаже, работе с большими таблицами, виртуальных машинах и играх с интегрированной графикой (iGPU активно использует системную память). В офисных задачах разница менее ощутима на глаз, но система в целом реагирует быстрее при многозадачности.
Один модуль Samsung M425R2GA3BB0-CWM работает корректно, но только в одноканальном режиме. Для двухканального режима нужны два SODIMM DDR5 в оба слота. Если в ноутбуке уже установлен один DDR5 SODIMM, добавление второго идентичного модуля переключит систему в двухканал — это удваивает эффективную пропускную способность и заметно ускоряет работу с iGPU. Если второй слот отсутствует или припаян — система останется одноканальной.
OEM (Original Equipment Manufacturer) означает, что Samsung M425R2GA3BB0-CWM поставляется без розничной упаковки и гарантийного талона, но является тем же заводским модулем, что устанавливается в готовые ноутбуки. На качество чипов и функциональность статус OEM не влияет. Гарантия Samsung составляет 1 год. Отличие от розничной версии — только отсутствие коробки и документации; физически и электрически модуль идентичен.
Да, Samsung M425R2GA3BB0-CWM запустится, но будет работать на 4800 МГц — максимальной частоте, поддерживаемой платформой. Это штатное поведение согласно стандарту JEDEC: модуль автоматически снижает частоту до поддерживаемого порога. Система останется стабильной, никакого ущерба для модуля или ноутбука не будет. Разница между 4800 и 5600 МГц в реальных задачах составляет около 5–10% по пропускной способности.
Снимите заднюю крышку ноутбука, найдите SODIMM-слот, вставьте модуль под углом около 30° ключом-вырезом к разъёму и зафиксируйте защёлками — они щёлкнут и прижмут модуль горизонтально. Samsung M425R2GA3BB0-CWM занимает 69,6 × 30 мм и вписывается в стандартный слот без дополнительных инструментов. Перед установкой обязательно отключите питание и снимите статическое электричество, прикоснувшись к металлическому элементу корпуса.
Да, Samsung M425R2GA3BB0-CWM совместим с мини-ПК (Intel NUC, ASUS NUC, Beelink и аналоги) на платформах с DDR5 SODIMM-слотами. Форм-фактор SODIMM стандартен для всех компактных систем, где нет места для полноразмерных DIMM-слотов. Перед покупкой уточните, поддерживает ли конкретная модель NUC DDR5 — часть NUC 12-го поколения поддерживает только DDR4.
Характеристики Оперативная память Samsung M425R2GA3BB0-CWM, DDR5 1х 16ГБ 5600 МГц, SODIMM, OEM
| О товаре | |
|---|---|
| Код товара: | 141325 |
| Бренд: | Samsung |
| Категория: | Оперативная память |
| Наличие на складе: | товар в наличии |
| Страна производства: | Китай |
| Гарантия Samsung: | 1 год |
| Код производителя: | M425R2GA3BB0-CWM |
| Общие характеристики | |
|---|---|
| Количество модулей | 1 шт |
| Назначение оперативной памяти | для ноутбуков |
| Форм-фактор | SODIMM |
| Тип поставки | OEM |
| Память и быстродействие | |
|---|---|
| Задержка | 40-46-46 |
| Тактовая частота | 5600 МГц |
| Пропускная способность | 44800 Мб/с |
| Показатель скорости | PC5-44800 |
| Количество контактов | 262 |
| Суммарный объем памяти всегокомплекта | 16 Гб |
| Объем одного модуля | 16 Гб |
| Тип памяти | DDR5 |
| Тайминги | |
|---|---|
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 46 |
| Row Precharge Delay (tRP | 46 |
| CAS Latency (CL) | 40 |
| Конструкция | |
|---|---|
| Высота | 30 мм |
| Ширина | 69.6 мм |
| Дополнительная информация | |
|---|---|
| Комплектация | модуль памяти 1 шт |
| Напряжение питания | 1.1 В |
Telegram

Отзывы о товаре
Написать отзыв