Оперативная память Samsung M425R2GA3BB0-CWM, DDR5 1х 16ГБ 5600 МГц, SODIMM, OEM

Код товара: 141325
Оперативная память Samsung M425R2GA3BB0-CWM, DDR5 1х 16ГБ 5600 МГц, SODIMM, OEM
Samsung
26 380 р.
Базовая цена
29 977 р.
В наличии на складе
Гарантия 1 год от Samsung
в корзину купить в один клик
Способы оплаты:
Наличными Картой В кредит
Способы получения товара:
Доставка 790 р.
завтра и позже
Самовывоз бесплатно
завтра и позже
Оперативная память Samsung M425R2GA3BB0-CWM, DDR5 1х 16ГБ 5600 МГц, SODIMM, OEM
Код товара: 141325
26 380 р.

О товаре
Код товара:141325
Бренд:Samsung
Категория:Оперативная память
Наличие на складе:товар в наличии
Страна производства:Китай
Гарантия Samsung: 1 год
Код производителя:M425R2GA3BB0-CWM
Показать все характеристики
Оперативная память Samsung M425R2GA3BB0-CWM, DDR5 1х 16ГБ 5600 МГц, SODIMM, OEM. Характеристики, фото, отзывы покупателей. Официальная гарантия Samsung. Доставка по Москве — FormulaTV.

Samsung M425R2GA3BB0-CWM — модуль оперативной памяти DDR5 форм-фактора SODIMM объёмом 16 ГБ с тактовой частотой 5600 МГц (PC5-44800), предназначенный для ноутбуков и компактных систем с поддержкой DDR5.

  • Тип памяти: DDR5 SODIMM
  • Объём: 16 ГБ (1 модуль)
  • Частота: 5600 МГц, пропускная способность 44 800 МБ/с
  • Для кого: апгрейд ноутбука или NUC на платформах Intel Core 12–14-го поколения и AMD Ryzen 7000
Samsung M425R2GA3BB0-CWM DDR5 SODIMM 16 ГБ 5600 МГц — лицевая сторона с наклейкой характеристик

Коротко — для кого этот модуль памяти

Samsung M425R2GA3BB0-CWM подходит для замены или расширения оперативной памяти в ноутбуках с DDR5-слотами SODIMM. Это OEM-поставка от производителя без розничной упаковки: модуль поступает точно так же, как устанавливается на заводе в готовые системы — без излишеств, но с полной функциональностью.

Главные плюсы и ограничения Samsung M425R2GA3BB0-CWM

Модуль оптимален для целенаправленного апгрейда ноутбука с поддержкой DDR5 — без переплаты за розничную упаковку или RGB-подсветку.

  • Высокая тактовая частота 5600 МГц — максимум спецификации DDR5 JEDEC для SODIMM текущего поколения
  • Пропускная способность 44 800 МБ/с — ощутимый прирост относительно DDR4-3200 (25 600 МБ/с)
  • Пониженное напряжение 1,1 В — меньше тепловыделение, выше энергоэффективность в ноутбуке
  • Samsung — производитель чипов памяти «первого эшелона», низкий процент брака
  • OEM-поставка: гарантия Samsung 1 год, без розничной документации
  • Один модуль 16 ГБ — для двухканального режима потребуется второй идентичный модуль (или совместимая пара)
  • Работает только в ноутбуках и компактных ПК с SODIMM-слотами DDR5: настольные ПК требуют DIMM-формат

DDR5 SODIMM — что даёт переход с DDR4 в реальных задачах

Пропускная способность Samsung M425R2GA3BB0-CWM против DDR4

Samsung M425R2GA3BB0-CWM обеспечивает пропускную способность 44 800 МБ/с — это на 75% выше, чем у массового DDR4-3200 (25 600 МБ/с). Разница проявляется прежде всего в задачах с большими потоками данных: видеомонтаж, работа с RAW-фотографиями, виртуальные машины, крупные таблицы. В повседневных офисных сценариях — браузер, почта, документы — разница между DDR4 и DDR5 субъективно менее заметна. Тайминги CL40-46-46 типичны для DDR5-5600 и не являются слабым местом модуля.

Напряжение 1,1 В и температурный режим в ноутбуке

Samsung M425R2GA3BB0-CWM работает при напряжении питания 1,1 В — на 20% ниже, чем у DDR4 (1,2 В в стандарте). Для ноутбука это означает меньше тепловыделения от модулей памяти и чуть более длительную работу от аккумулятора при интенсивной нагрузке. По наблюдениям специалистов FormulaTV в условиях шоурума, DDR5-модули Samsung серии M425R в штатном режиме остаются заметно холоднее аналогичных DDR4-планок под нагрузкой.

Совместимость Samsung M425R2GA3BB0-CWM с платформами Intel и AMD

Samsung M425R2GA3BB0-CWM совместим с ноутбуками на базе процессоров Intel Core 12-го и более новых поколений (Alder Lake, Raptor Lake, Meteor Lake) и AMD Ryzen серии 7000 с поддержкой DDR5. Перед установкой необходимо убедиться, что материнская плата ноутбука имеет SODIMM-слот стандарта DDR5 — DDR4 и DDR5 физически несовместимы (разное количество контактов: у DDR5 SODIMM их 262 против 260 у DDR4). По информации производителя, модуль поддерживает стандарт PC5-44800 и совместим со всеми платформами, официально поддерживающими DDR5 SODIMM 5600 МГц.

Совет от Редакции FormulaTV: «Перед покупкой уточните в сервисном центре или на сайте производителя ноутбука максимально поддерживаемую частоту DDR5 SODIMM. Часть платформ ограничивает частоту до 4800 МГц — модуль 5600 МГц запустится, но снизится до поддерживаемого порога. Это не брак, а штатное поведение согласно спецификации Intel/AMD XMP/JEDEC».

Конструкция и форм-фактор — что важно при установке

Физические параметры модуля Samsung M425R2GA3BB0-CWM

Samsung M425R2GA3BB0-CWM выполнен в стандартном форм-факторе SODIMM: ширина 69,6 мм, высота 30 мм. Эти размеры соответствуют индустриальному стандарту SODIMM и совместимы со всеми ноутбуками, поддерживающими DDR5. Модуль не имеет декоративного радиатора — это норма для OEM-поставки и выгодно в ноутбуке, где пространство ограничено. В комплект входит только сам модуль памяти (1 шт.).

Samsung M425R2GA3BB0-CWM DDR5 SODIMM 16 ГБ — обратная сторона с золотыми контактами и маркировкой Samsung

OEM-статус и гарантия Samsung M425R2GA3BB0-CWM

Тип поставки OEM означает, что Samsung M425R2GA3BB0-CWM поставляется без розничной коробки и документации — именно в таком виде производитель отгружает память системным сборщикам. Функционально и качественно OEM-модуль не отличается от розничного аналога того же SKU. Гарантия Samsung на данный модуль составляет 1 год. Страна производства — Китай (сборка на заводах Samsung).

С чем сравнить в России — DDR5 SODIMM 16 ГБ 5600 МГц

На российском рынке DDR5 SODIMM 16 ГБ 5600 МГц представлена несколькими производителями. Ниже — ключевые конкуренты в том же сегменте частоты и объёма.

Сравнение DDR5 SODIMM 16 ГБ 5600 МГц — ключевые характеристики
Модуль Объём Частота Тайминги (CL) Напряжение Тип поставки Кому подойдёт
Samsung M425R2GA3BB0-CWM 16 ГБ 5600 МГц CL40 1,1 В OEM Апгрейд ноутбука, бюджетная замена
Kingston KVR56S46BS8-16 16 ГБ 5600 МГц CL46 1,1 В Розница Розничный апгрейд с документацией
Crucial CT16G56C46S5 16 ГБ 5600 МГц CL46 1,1 В Розница Универсальный апгрейд, широкая совместимость
Patriot Signature PSD516G560081S 16 ГБ 5600 МГц CL46 1,1 В Розница Бюджетная розничная альтернатива

По информации производителя, Samsung M425R2GA3BB0-CWM выделяется более низким задержкой CL40 против CL46 у большинства конкурентов в том же ценовом диапазоне — это преимущество в задачах, чувствительных к латентности памяти.

Как мы к этому пришли — эволюция DDR5 SODIMM

Стандарт DDR5 для ноутбуков появился массово с выходом платформ Intel Alder Lake (12-е поколение, 2021) и AMD Ryzen 7000 (2022). Первые коммерческие DDR5 SODIMM стартовали с частоты 4800 МГц — сегодня 5600 МГц стал де-факто стандартом начального уровня DDR5, а верхняя граница массовых модулей достигла 6400 МГц. Samsung M425R2GA3BB0-CWM — представитель зрелого поколения DDR5: частота 5600 МГц при CL40 отражает оптимизацию производственного процесса, недостижимую в ранних партиях 2021–2022 годов. Снижение стоимости DDR5 в 2024–2025 годах сделало апгрейд экономически обоснованным даже для пользователей, не планировавших смену платформы.

Инженерный компромисс

Главный trade-off DDR5 SODIMM — задержки против пропускной способности. При переходе с DDR4-3200 CL22 на DDR5-5600 CL40 абсолютное значение CAS Latency в тактах увеличивается почти вдвое. Однако из-за более высокой тактовой частоты реальная задержка в наносекундах остаётся сопоставимой: DDR4-3200 CL22 даёт ~13,75 нс, а DDR5-5600 CL40 — ~14,3 нс. Выигрыш DDR5 проявляется прежде всего в пропускной способности, а не в латентности. Для геймеров на ноутбуке это означает, что отклик системы не деградирует, а потоковые задачи выполняются заметно быстрее.

Совет от Редакции FormulaTV: «Если ноутбук имеет два слота SODIMM и сейчас работает в одноканальном режиме с одним модулем DDR5, установка второго идентичного модуля Samsung M425R2GA3BB0-CWM переведёт систему в двухканальный режим. Это даёт удвоение эффективной пропускной способности без изменения тактовой частоты — прирост производительности в ресурсоёмких задачах ощутимее, чем сам переход с DDR4».

Взгляд с другой стороны

Контраргумент. OEM-поставка без розничной упаковки вызывает закономерные вопросы: откуда уверенность в подлинности, нет ли риска получить «серый» или восстановленный модуль?

Когда валиден. Скептицизм обоснован при покупке у непроверенных посредников. В канале официального дистрибьютора OEM-поставка — стандартная практика Samsung для B2B и сервисного рынка.

Ответ. Код производителя M425R2GA3BB0-CWM однозначно идентифицирует модуль в базе Samsung; подлинность проверяется через сервисную базу производителя. Для покупателя, приоритизирующего розничную упаковку и гарантийный талон, рациональнее выбрать Kingston или Crucial в ретейл-исполнении — разница в характеристиках минимальна.

Ошибки и их цена

1) Установка DDR5 SODIMM в слот DDR4 — разъёмы физически несовместимы (262 vs 260 контактов), принудительная установка ведёт к повреждению слота материнской платы. Стоимость ремонта может превысить цену ноутбука.

2) Покупка одного модуля в расчёте на двухканальный режим — один модуль всегда работает в одноканальном режиме. Для двухканала нужны два идентичных или совместимых модуля DDR5 SODIMM в оба слота.

3) Игнорирование ограничения платформы по частоте — часть ноутбуков Intel и AMD официально поддерживает DDR5 только до 4800 МГц. Модуль 5600 МГц запустится на 4800 МГц, что является нормой, но важно учитывать это при сравнении с конкурентами той же частоты.

Часто задаваемые вопросы

Samsung M425R2GA3BB0-CWM подходит только для ноутбуков с DDR5 SODIMM-слотами — это платформы Intel Core 12-го поколения и новее, а также AMD Ryzen 7000. Если у ноутбука слот DDR4, этот модуль физически несовместим: у DDR5 SODIMM 262 контакта против 260 у DDR4. Проверьте спецификацию своего ноутбука на сайте производителя в разделе «Память» перед заказом.

Samsung M425R2GA3BB0-CWM обеспечивает пропускную способность 44 800 МБ/с — на 75% выше, чем у DDR4-3200 (25 600 МБ/с). Прирост заметен в видеомонтаже, работе с большими таблицами, виртуальных машинах и играх с интегрированной графикой (iGPU активно использует системную память). В офисных задачах разница менее ощутима на глаз, но система в целом реагирует быстрее при многозадачности.

Один модуль Samsung M425R2GA3BB0-CWM работает корректно, но только в одноканальном режиме. Для двухканального режима нужны два SODIMM DDR5 в оба слота. Если в ноутбуке уже установлен один DDR5 SODIMM, добавление второго идентичного модуля переключит систему в двухканал — это удваивает эффективную пропускную способность и заметно ускоряет работу с iGPU. Если второй слот отсутствует или припаян — система останется одноканальной.

OEM (Original Equipment Manufacturer) означает, что Samsung M425R2GA3BB0-CWM поставляется без розничной упаковки и гарантийного талона, но является тем же заводским модулем, что устанавливается в готовые ноутбуки. На качество чипов и функциональность статус OEM не влияет. Гарантия Samsung составляет 1 год. Отличие от розничной версии — только отсутствие коробки и документации; физически и электрически модуль идентичен.

Да, Samsung M425R2GA3BB0-CWM запустится, но будет работать на 4800 МГц — максимальной частоте, поддерживаемой платформой. Это штатное поведение согласно стандарту JEDEC: модуль автоматически снижает частоту до поддерживаемого порога. Система останется стабильной, никакого ущерба для модуля или ноутбука не будет. Разница между 4800 и 5600 МГц в реальных задачах составляет около 5–10% по пропускной способности.

Снимите заднюю крышку ноутбука, найдите SODIMM-слот, вставьте модуль под углом около 30° ключом-вырезом к разъёму и зафиксируйте защёлками — они щёлкнут и прижмут модуль горизонтально. Samsung M425R2GA3BB0-CWM занимает 69,6 × 30 мм и вписывается в стандартный слот без дополнительных инструментов. Перед установкой обязательно отключите питание и снимите статическое электричество, прикоснувшись к металлическому элементу корпуса.

Да, Samsung M425R2GA3BB0-CWM совместим с мини-ПК (Intel NUC, ASUS NUC, Beelink и аналоги) на платформах с DDR5 SODIMM-слотами. Форм-фактор SODIMM стандартен для всех компактных систем, где нет места для полноразмерных DIMM-слотов. Перед покупкой уточните, поддерживает ли конкретная модель NUC DDR5 — часть NUC 12-го поколения поддерживает только DDR4.

Характеристики Оперативная память Samsung M425R2GA3BB0-CWM, DDR5 1х 16ГБ 5600 МГц, SODIMM, OEM

О товаре
Код товара:141325
Бренд:Samsung
Категория:Оперативная память
Наличие на складе:товар в наличии
Страна производства:Китай
Гарантия Samsung: 1 год
Код производителя:M425R2GA3BB0-CWM
Общие характеристики
Количество модулей1 шт
Назначение оперативной памятидля ноутбуков
Форм-факторSODIMM
Тип поставкиOEM
Память и быстродействие
Задержка40-46-46
Тактовая частота5600 МГц
Пропускная способность44800 Мб/с
Показатель скоростиPC5-44800
Количество контактов262
Суммарный объем памяти всегокомплекта16 Гб
Объем одного модуля16 Гб
Тип памятиDDR5
Тайминги
RAS to CAS Delay (tRCD)46
Row Precharge Delay (tRP46
CAS Latency (CL)40
Конструкция
Высота30 мм
Ширина69.6 мм
Дополнительная информация
Комплектациямодуль памяти 1 шт
Напряжение питания1.1 В

Отзывы о товаре

Отзывов пока еще нет. Ваш отзыв может стать первым!

Написать отзыв